A.N.Beketov KNUME Digital Repository

ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧОЇ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ n-TiN/n-GaP.

Солован, М.М and Брус, В.В and Мар’янчук, П.Д and Майструк, Е.В. and Орлецький, І.Г (2014) ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧОЇ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ n-TiN/n-GaP. Міжнародний науково-технічний журнал "Світлотехніка та Електроенергетика" . pp. 4-10.

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
1MB

Abstract

Отримано світловипромінюючі гетероструктури n-TiN/n-GaP шляхом нанесення тонкоплівкового TiN методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні підкладки фосфіду галію. Досліджено температурні залежності висоти потенціального бар'єру і послідовного опору ізотипного гетеропереходу n-TiN/n-GaP та вольт фарадні характеристики при різних частотах збуджуючого сигналу. Встановлено, що домінуючі механізми струмопереносу через гетероструктуру при прямому зміщенні добре описуються в рамках тунельно-рекомбінаційної і генераційно - рекомбінаційної моделей за участю поверхневих станів.

Item Type:Article
Subjects:Our editions > International scientific and technical magazine "lightning Technology and Electroenergy" > 2014 > № 1 (2014): №37
ID Code:37700
Deposited By: провідний інженер ЛВТІСМГ Олена Сергіївна Кривошеєва
Deposited On:04 Dec 2014 08:15
Last Modified:04 Dec 2014 08:15

Repository Staff Only: item control page