Солован, М.М и Брус, В.В и Мар’янчук, П.Д и Майструк, Е.В. и Орлецький, І.Г (2014) ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧОЇ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ n-TiN/n-GaP. Міжнародний науково-технічний журнал "Світлотехніка та Електроенергетика" . С. 4-10.
|
PDF
- Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
1MB |
Резюме
Отримано світловипромінюючі гетероструктури n-TiN/n-GaP шляхом нанесення тонкоплівкового TiN методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні підкладки фосфіду галію. Досліджено температурні залежності висоти потенціального бар'єру і послідовного опору ізотипного гетеропереходу n-TiN/n-GaP та вольт фарадні характеристики при різних частотах збуджуючого сигналу. Встановлено, що домінуючі механізми струмопереносу через гетероструктуру при прямому зміщенні добре описуються в рамках тунельно-рекомбінаційної і генераційно - рекомбінаційної моделей за участю поверхневих станів.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Тематика: | Наши издания > Международный научно-технический журнал "Светотехника и Электроэнергетика" > 2014 > № 1 (2014): №37 |
| Код ID: | 37700 |
| Размещен: | провідний інженер ЛВТІСМГ Олена Сергіївна Кривошеєва |
| Размещен на: | 04 Дек 2014 08:15 |
| Последнее изменение: | 04 Дек 2014 08:15 |
Только штат репозитория: страница управления объектом
